|
POSITIV RESIST je světlocitlivý lak - pozitivní fotoresist - umožňující výrobu desek plošných spojů (DPS), štítků, leptání kovových foliií a další aplikace chemického obrábění atd.
POSITIV RESIST dodáváme v balení sprej 200 ml nebo plechovka 1 litr.
Nabízí relativně snadný způsob přesného kopírování obrazců na různé typy materiálů. Lak zajišťuje snadnou práci, rychlé sušení, dobrý kontrast a vysokou ostrost.
Aplikace:
Maloseriová DPS, čelních panelů, stupnic, vývěsních a orientačních tabulí, zaleptaných nápisů a znaků a tiskových šablon z mědi, mosazi či jiných materiálů.
Musí být dobře vykreslená, krytá, v motivu nepropustná pro světlo, rovná bez ohybů či jiných mechanických deformací, (může to být např. plochý film či průhledná folie s nalepeným či vykresleným motivem)
Povrch musí být čistý, suchý, bez mastnot či jiných nečistot !
Nanášení fotoresistu může být provedeno při tlumeném denním světle.Temná komora není nutná ale je nutno se vyvarovat slunečního světla protože resist je citlivý v UV oblasti. Pro dosažení reprodukovatelných výsledků je vhodné zajistit pracoviště se stálou teplotou a vlhkostí, bez prachu.
DPS umístit v horizontální nebo mírně nakloněné poloze a aplikovat sprej ze vzdálenosti cca 20 cm. Sprej na DPS nanášet nepřerušovaně, ve formě meandru začínajícího např. v levém horním rohu. Na DPS se objeví drobné kráterky a sprejování se ukončí. V krátkém čase se na DPS vytvoří tenká, rovnoměrná, světlocitlivá vrstva fotoresistu. Nadměrné množství fotoresistu na krajích DPS a z toho vyplývající nerovnoměrná tloušťka vrstvy může způsobit prodloužení následné expozice a problémy při vyvolání.
Sprej při sprejování extrémně nenaklánějte, při částečném vyprázdnění může dojít k “prskání” fotoresistu na desku a nerovnoměrnému nanesení.
DPS s fotovrstvou skladujte na suchém a temném místě. Sprej by měl mít před aplikací teplotu místnosti.
|
|
DPS musí být před expozicí v temnu vysušena. Zajistí se tak dobrá reprodukovatelnost a adhese. Teplota sušení by neměla překročit +70 až
+80° C. Sušicí teplotu dosahujte postupně, ne skokem! Při rychlém sušení se tvoří povrchová vrstva, která brzdí odpařování rozpouštědla.
Předsušte při nižší teplotě a pak postupně zvyšte na +70 až
+80° C a při této teplotě sušte 15 až 20 minut. Nedostatečné sušení způsobí “díry” ve fotoresistu a nízkou adhesi.
Nejlepší výsledky mohou být dosaženy použitím UV lampy např. křemíkové lampy (Philips HPR125) nebo rtuťové výbojky. Pro účinnou expozici musí zdroj záření emitovat dostatečné množství UV záření v rozsahu 310 až 440 nm. Dobré výsledky mohou být také získány použitím 200 W žárovky ze vzdálenosti 30 až 40 cm a expozičním časem 10 minut. Pro délku expozice je důležitá vlnová délka emitovaného UV záření a ne příkon světelného zdroje. Fotoresist je nejcitlivější v oblasti mezi 330 až 420 nm.
Uvědomte si, že běžné skleněné desky někdy používané pro zatížení předlohy (filmu, astralonu,pauzáku atd.) absorbují až 65% UV paprsků a prodlužují tak expozici. Pro zatížení předlohy je proto vhodnější použít křišťálové sklo či plexisklo.
Vyvolání exponované desky se provádí při rozptýleném denním světle ne však přímo na slunci ! Na vyvolání motivu se používá Vývojka pro pozitivní fotoemulzi ELCHEMCo (naředěná vodou 1:1)nebo roztok 7 gramů hydroxidu sodného (NaOH) rozpuštěného v jednom litru destilované vody. Pracovní teplota této vývojky je +20 až 25° C. Při nižší teplotě bude vyvolávání trvat déle a naopak při vyšší teplotě dojde k snížení ostrosti motivu. Po vyvolání důkladně opláchněte tekoucí vodou. Optimální čas vyvolávání správně exponované DPS je 30 až 60 sekund při použití nové vývojky. Nikdy nepřidávejte použitou vývojku k nepoužité. Vždy použijte novou vývojku.
POSITIV RESIST je odolný kyselým roztokům jako je chlorid železitý (Leptací roztok pro výrobu DPS ELCHEMCo), persíran amonný, kyselině chromové a fluorovodíkové.
Pro použití persíranu amonného (NH4)2S2O8 platí tento postup: 35 gramů persíranu amonného se rozpustí v 65 ml vody.
Leptání probíhá asi 10 minut, závisí to na velikosti odleptávané plochy. Pracovní teplota roztoku je cca 40° C. Po leptání následuje intenzivní oplach tekoucí vodou.
Pro použití kyseliny chlorovodíkové HCl platí tento postup:
Do 770 ml vody se opatrně za míchání přidává 200 ml kyseliny chlorovodíkové (HCl 35%) a do této směsi se dále opatrně přidá za míchání
30 ml peroxidu vodíku (H2O2 30%). Před zahájením výroby této směsi se důkladně seznamte s příslušnými bezpečnostními předpisy pro práci v chemické laboratoři a pro práci chemickými látkami !
Doba leptání výrazně závisí na intenzitě míchání a teplotě lázně a trvá přibližně 10 minut při intenzivním míchání čerstvého roztoku při teplotě cca 20° C. Po leptání následuje intenzivní oplach tekoucí vodou.
Fotoresist se z DPS odstraní organickým rozpouštědlem například acetonem.
POSITIV RESIST může být bezpečně skladován po dobu až jednoho roku při teplotách +8 až +12° C.
Teplota fotoresistu před aplikací by měla být na pokojové teplotě.
Vlastnosti:
Barva: tmavě fialová
Spec. hmotnost: 0,85[g /cm3]
Doba sušení: při normální teplotě 10 až 20 hod nebo při kombinovaném způsobu 10 až 20 min při normální teplotě a následně 15 až 20 min při 70 - 80°C
Spektrální citlivost:: mezi 310 a 440 nm, max. mezi 330 a 420 nm
